RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3401
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link