RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
57
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2377
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link