RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
57
Около 56% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
57
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2377
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link