RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3814
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link