Porównanie pamięci RAM Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Wynik ogólny

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 32

Wokół strony 22% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

15.9 12.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.9 8.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2045 2831

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns