RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2641
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link