RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
53
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3047
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link