RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
比較する
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
総合得点
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
48
53
周辺 -10% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.7
1,590.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
6400
周辺 4 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
53
48
読み出し速度、GB/s
3,726.4
16.8
書き込み速度、GB/秒
1,590.1
15.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
25600
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
522
3047
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAMの比較
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAMの比較
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link