RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
48
53
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.7
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
48
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3047
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link