RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2595
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link