RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
2849
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link