RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
45
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2849
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link