RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3798
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link