RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
4046
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link