RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3244
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link