RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2565
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link