RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2011
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link