RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
41
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
4012
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link