RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3385
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
INTENSO 5641162 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link