RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3510
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link