RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3432
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link