RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
41
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2858
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link