RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
48
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
48
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3061
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link