RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
41
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3488
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link