RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.7
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3956
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link