RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
41
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3575
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link