RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3074
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link