RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
54
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2226
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link