RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
58
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
58
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
1968
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link