RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2124
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link