RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3759
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.T8 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link