RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1892
3532
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link