RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1768
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link