RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 37
    Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 12.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.9 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 37
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.6 left arrow 13.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 9.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2055 left arrow 2389

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Pamięć RAM
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Pamięć RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology C 8GB
Pamięć RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Pamięć RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Pamięć RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Pamięć RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Pamięć RAM