RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link