RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Porównaj
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,001.3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,796.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.3
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
768
3142
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link