RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1676
4064
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link