RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,001.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
58
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,796.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,001.3
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
768
2821
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link