RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
65
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
21
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2807
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link