RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
25
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2051
3317
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KHX1866C10S3L/8G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link