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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
12.6
18.1
写入速度,GB/s
7.2
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3317
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
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