Porównanie pamięci RAM Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Wynik ogólny

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

52 65

Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 6.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

10.1 4.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 8500

Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

985 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns