RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2902
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link