RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
9.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1929
3110
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ17RG4EAFD-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112S6BFR6C
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link