RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
25
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
3507
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link