RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2902
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link