RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
56
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2152
2455
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link