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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
56
En 55% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
56
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2455
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
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