RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Porównaj
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB vs Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1241
2112
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link