RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
32
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2386
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link